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 InGaN/GaN DFB laser diodes at 434 nm with deeply etched sidewall gratings 具有深蚀刻侧壁光栅的434 nm InGaN/GaN DFB激光二极管
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期刊：Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE 作者：Thomas J. Slight; Opeoluwa Odedina; W. Meredith; Kevin E. Docherty; Anthony E. Kelly 出版日期：2016-02-26 |
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