Influence of nanoscale indium fluctuation in the InGaN quantum-well LED to the efficiency droop with a fully 3D simulation model

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标题	Influence of nanoscale indium fluctuation in the InGaN quantum-well LED to the efficiency droop with a fully 3D simulation model InGaN量子阱中纳米级铟涨落导致效率下降的全三维模拟模型相关领域电压降铟发光二极管材料科学光电子学俄歇效应铟镓氮化物螺旋钻纳米尺度量子阱物理光学纳米技术氮化镓电压原子物理学图层（电子）量子力学分压器激光器
网址	http://dx.doi.org/10.1117/12.2039374
DOI	10.1117/12.2039374 doi
求助人	harrintong 在 2025-05-27 14:14:44 发布自江苏，悬赏 20 积分
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