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标题
Comprehensive Investigation on Electrical Properties of 4H-SiC VDMOS Under Uniaxial and Biaxial Mechanical Strains
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DOI
10.23919/ispsd50666.2021.9452260 doi
其它 期刊:International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
作者:Hongyu Wei; Wangran Wu; Pengyu Tang; Guangan Yang; Siyang Liu; et al
出版日期:2021-05-30
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