Demonstration of High-Performance 0.17-mΩ⋅cm²/800-V 4H-SiC Super-Junction Schottky Diodes via Multiepitaxial Growth and Channeled Implantation Techniques

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标题	Demonstration of High-Performance 0.17-mΩ⋅cm²/800-V 4H-SiC Super-Junction Schottky Diodes via Multiepitaxial Growth and Channeled Implantation Techniques
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/16/10945874/10884822.pdf...
DOI	10.1109/ted.2025.3537070 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Fengyu Du; Haobo Kang; Hao Yuan; Boyi Bai; Tianyu Shu; et al 出版日期：2025-02-14
求助人	缥缈的青雪在 2026-03-03 18:40:59 发布自北京，悬赏 10 积分
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