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 p-GaN Gate HEMT with the Buffer Hole Compensation Layer for Achieving Repetitive Avalanche-Like Breakdown Capability 具有缓冲空穴补偿层的p-GaN栅极HEMT用于实现重复雪崩样击穿能力
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期刊： 作者：Cheng Yu; Wanjun Chen; Fangzhou Wang; Zhuocheng Wang; Xiaochuan Deng; et al 出版日期：2025-06-01 |
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