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标题
Failure mechanisms of cascode GaN-based high electron mobility transistors under off-state breakdown
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DOI
10.1016/j.jallcom.2025.180289 doi
其它 期刊:Journal of Alloys and Compounds
作者:Hanlin Liu; Chengbing Pan; Hui Li; Yibo Ning; Huiying Li; et al
出版日期:2025-04-01
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心澄宇静 在 2026-08-20 14:51:40 发布自江苏,悬赏 10 积分
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