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Band Alignment and Interface Recombination in NiO/β-Ga2O3 Type-II p-n Heterojunctions |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Hehe Gong; Xuanhu Chen; Yang Xu; Yanting Chen; Fangfang Ren; et al 出版日期:2020-06-19 |
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