Vertical GaN Schottky barrier diodes with ohmic contact on N-polar by the atomic layer deposition of aluminum oxide interfacial layer

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标题	Vertical GaN Schottky barrier diodes with ohmic contact on N-polar by the atomic layer deposition of aluminum oxide interfacial layer
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161268
DOI	10.1016/j.apsusc.2024.161268 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Yongkai Yang; Zhengweng Ma; Zhongwei Jiang; Bo Li; Linfei Gao; et al 出版日期：2024-09-19
求助人	ange 在 2026-08-03 14:30:01 发布自广东，悬赏 10 积分
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