| 标题 |
 Temperature Dependence of Heavy-Ion-Induced Leakage Current in SiC Power MOSFETs SiC功率MOSFET中重离子诱导漏电流的温度依赖性
相关领域
材料科学
功率MOSFET
重离子
泄漏（经济）
MOSFET
碳化硅
光电子学
离子
电流（流体）
电气工程
工程物理
电压
晶体管
物理
工程类
冶金
经济
宏观经济学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：K. Niskanen; C. Martinella; Arijit Sengupta; P. M. Harris; Arthur F. Witulski; et al 出版日期：2025-01-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
小杭76
无极微光
avalanche
小青椒
Criminology34
yznfly
虚心的小兔子
GingerF
寒江雪
iNk
sevenhill
Meyako
Hilda007
pluto
xxfsx
怡然的怜烟
寻道图强
eric888
小药童
Mic
hhhg
猪猪hero
tuanheqi
皖公网安备34019202002308
