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 Designing Power-Efficient Transistors Using Narrow-Bandwidth Materials from the MA2Z4 (M=Mo, Cr, Zr, Ti, Hf; A=Si, Ge; Z=N, P, As) Monolayer Series 相关领域
晶体管
材料科学
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期刊：Physical review applied 作者：Keshari Nandan; Somnath Bhowmick; Yogesh Singh Chauhan; Harsh Varshney 出版日期：2023-06-20 |
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