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标题
Depth profiles of electron and hole traps generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC
4H-SiC表面反应离子刻蚀产生的电子和空穴陷阱的深度分布
相关领域
反应离子刻蚀 蚀刻（微加工） 离子 材料科学 电子 原子物理学 碳化硅 化学 纳米技术 物理 核物理学 复合材料 有机化学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0221700
DOI
10.1063/5.0221700 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Shota Kozakai; Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto
出版日期：2024-09-06
求助人
bvbbbbc 在 2025-12-04 14:07:30 发布自山东，悬赏 10 积分
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