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  Achieving ultra-low contact barriers in MX2/SiH (M = Nb, Ta; X = S, Se) metal–semiconductor heterostructures: first-principles prediction 相关领域
异质结
半导体
材料科学
光电子学
接口（物质）
金属
工程物理
纳米技术
冶金
接触角
物理
复合材料
坐滴法
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期刊：Nanoscale Advances 作者：Son T. Nguyen; Chương V. Nguyen; Huynh V. Phuc; Nguyen N. Hieu; Cuong Q. Nguyen 出版日期：2024-01-01 |
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