Reliability characterisation of plasma induced charging damage (PID) for MOS transistors of a silicon on insulator (SOI) process using product relevant test structures and fWLR methods

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标题	Reliability characterisation of plasma induced charging damage (PID) for MOS transistors of a silicon on insulator (SOI) process using product relevant test structures and fWLR methods
网址	https://doi.org/10.1109/IIRW53245.2021.9635611
DOI	10.1109/IIRW53245.2021.9635611 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) 作者：Andreas Martin; Angelika Kamp; Johannes Berger 出版日期：2021
求助人	zza 在 2026-06-01 17:40:43 发布自上海，悬赏 10 积分
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