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 Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal-mechanical Analysis 相关领域
沟槽
材料科学
MOSFET
热失控
光电子学
压力（语言学）
热的
电压
碳化硅
电气工程
复合材料
晶体管
工程类
功率（物理）
语言学
物理
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量子力学
气象学
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期刊： 作者：Keisuke Kashiwa; Kailun Yao; Hiroshi Yano; Noriyuki Iwamuro; Shinsuke Harada 出版日期：2022-05-22 |
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