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 Bilayer tungsten diselenide transistors with on-state currents exceeding 1.5 milliamperes per micrometre 导通电流超过每微米1.5毫安的双层二硒化钨晶体管
相关领域
二硒化钨
材料科学
晶体管
半导体
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光电子学
钒
钨
纳米技术
电压
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化学
电气工程
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分子
冶金
工程类
催化作用
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| 其它 |
期刊：Nature electronics 作者：Ruixia Wu; Quanyang Tao; Jia Li; Wei Li; Yang Chen; et al 出版日期：2022-08-08 |
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