High Quality Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition

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标题	High Quality Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition
网址	https://doi.org/10.1149/10904.0205ecst
DOI	10.1149/10904.0205ecst doi
其它	期刊：ECS transactions 作者：Y. Yamamoto; Wei-Chen Wen; Markus Andreas Schubert; Cedic Corley-Wiciak; Bernd Tillack 出版日期：2022-09-30
求助人	车车在 2026-08-20 10:34:16 发布自陕西，悬赏 10 积分
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