Enhanced memory window and efficient resistive switching in stabilized BaTiO3-based RRAM through incorporation of Al2O3 interlayer

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标题	Enhanced memory window and efficient resistive switching in stabilized BaTiO3-based RRAM through incorporation of Al2O3 interlayer
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.jmst.2024.05.078
DOI	10.1016/j.jmst.2024.05.078 doi
其它	期刊：Journal of Materials Science & Technology 作者：Akendra Singh Chabungbam; Minjae Kim; Atul Thakre; Dong-eun Kim; Hyung-Ho Park 出版日期：2025-04-01
求助人	Wang 在 2026-06-29 15:49:51 发布自山东，悬赏 10 积分
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