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Enabling 3X nm DRAM: Record low leakage 0.4 nm EOT MIM capacitors with novel stack engineering
相关领域
德拉姆 电容器 电介质 泄漏（经济） 堆栈（抽象数据类型） 材料科学 光电子学 物理 分析化学（期刊） 电气工程 化学 计算机科学 工程类 有机化学 操作系统 经济 宏观经济学 电压
网址
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703344
DOI
10.1109/iedm.2010.5703344 doi
其它 期刊：
作者：Małgorzata Pawlak; M. Popovici; Johan Swerts; Kazuyuki Tomida; Minsoo Kim; et al
出版日期：2010-12-01
求助人
白鹭 在 2025-11-12 13:59:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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