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标题
Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
常闭全垂直GaN FinFET的电容和迁移率评估
相关领域
电容 阈值电压 磁滞 阈下斜率 材料科学 击穿电压 光电子学 电气工程 阈下传导 MOSFET 电压 物理 凝聚态物理 晶体管 电极 量子力学 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3287820
AI链接 lu.sedoi.org
DOI
10.1109/ted.2023.3287820 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Philipp Gribisch; Rosalía Delgado Carrascón; Vanya Darakchieva; Erik Lind
出版日期：2023-07-07
求助人
嵇翩跹 在 2025-12-04 15:57:19 发布自天津，悬赏 10 积分
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