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  A Simulation Optimization Factor of Si(111)-Based AlGaN/GaN Epitaxy for High Frequency and Low-Voltage-Control High Electron Mobility Transistor Application 高频低压控制高电子迁移率晶体管Si（111）基AlGaN/GaN外延的模拟优化因子
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高电子迁移率晶体管
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纳米技术
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期刊：Micromachines 作者：He Guan; Guiyu Shen; Shibin Liu; Chengyu Jiang; Jingbo Wu 出版日期：2023-01-09 |
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