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Resistive switching and synaptic characteristics in ZnO@β-SiC composite-based RRAM for neuromorphic computing
用于神经形态计算的ZnO@β-SiC复合材料基RRAM的电阻开关和突触特性
相关领域
神经形态工程学 电阻随机存取存储器 材料科学 光电子学 电阻式触摸屏 纳米技术 复合数 计算机科学 复合材料 电气工程 人工神经网络 电压 人工智能 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/5.0246384
DOI
10.1063/5.0246384 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Bisweswar Santra; Gangadhar Das; Giuliana Aquilanti; A. Kanjilal
出版日期：2025-01-28
求助人
sukiyaki 在 2025-12-04 14:10:28 发布自重庆，悬赏 10 积分
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