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 Abnormal on Current Tendency in Saturation Region Between High and Light Carbon Doped Buffer Layer in p-GaN HEMT p-GaN HEMT中高、轻碳掺杂缓冲层饱和区电流趋势的异常
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chien-Hung Yeh; Po‐Hsun Chen; Ting‐Chang Chang; Kai‐Chun Chang; Yu‐Xuan Wang; et al 出版日期：2023-05-25 |
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