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标题
Abnormal on Current Tendency in Saturation Region Between High and Light Carbon Doped Buffer Layer in p-GaN HEMT
p-GaN HEMT中高、轻碳掺杂缓冲层饱和区电流趋势的异常
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 饱和电流 兴奋剂 饱和（图论） 光电子学 俘获 宽禁带半导体 电子 凝聚态物理 电压 晶体管 电气工程 物理 工程类 组合数学 生物 量子力学 数学 生态学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2023.3279375
DOI
10.1109/led.2023.3279375 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Chien-Hung Yeh; Po‐Hsun Chen; Ting‐Chang Chang; Kai‐Chun Chang; Yu‐Xuan Wang; et al
出版日期：2023-05-25
求助人
researcher 在 2025-12-04 14:45:22 发布自河北，悬赏 10 积分
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