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 First Experimental Demonstration of Dual-Sided N/P FETs in Filp FET (FFET) on 300 mm Wafers for Stacked Transistor Technology in Sub-1nm Nodes 用于亚1纳米节点堆叠晶体管技术的300 mm晶圆上Filp FET(FFET)中的双面N/P FET的首次实验演示
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期刊：2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Heng Wu; Weihai Bu; Yandong Ge; Yanbang Chu; Jiacheng Sun; et al 出版日期：2025-07-19 |
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