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Manipulation of etch selectivity of silicon nitride over silicon dioxide to a-carbon by controlling substrate temperature with a CF4/H2 plasma 相关领域
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氮化碳
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期刊:Vacuum 作者:Shih-Nan Hsiao; Nikolay Britun; Thi-Thuy-Nga Nguyen; Takayoshi Tsutsumi; Kenji Ishikawa; et al 出版日期:2023-01-24 |
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