High Linearity and Symmetry Ferroelectric Artificial Neuromorphic Devices Based on Ultrathin Indium‐Tin‐Oxide Channels

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标题	High Linearity and Symmetry Ferroelectric Artificial Neuromorphic Devices Based on Ultrathin Indium‐Tin‐Oxide Channels
网址	http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202500078
DOI	10.1002/aelm.202500078 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Siwei Wang; Xuemeng Hu; Baifan Qian; Jiajie Yu; Zhenhai Li; et al 出版日期：2025-04-16
求助人	科研浦东在 2026-09-22 23:01:02 发布自江苏，悬赏 10 积分
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