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Ga2O3-Engineered Buried-Channel Transport in Amorphous IGZO Thin-Film Transistors with Improved Mobility and Reliability for DRAM Cell Applications
网址
http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6c14070
DOI
10.1021/acsami.6c14070 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Taeyoon Lee; Kwanwoo Song; Jeewon Bu; Youngmin Kim; Jun Hoe Heo; et al
出版日期：2026-09-26
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