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 940 Nm Near‐Infrared Photosynapses Based on Sn─Pb Perovskite for Efficient Face Recognition 相关领域
神经形态工程学
材料科学
钙钛矿（结构）
光电子学
晶体管
半导体
纳米技术
响应度
带隙
兴奋性突触后电位
光电探测器
光子学
载流子
突触后电位
电子迁移率
突触后电流
薄膜
记忆电阻器
场效应晶体管
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期刊：Advanced Materials 作者：Wanqi Duan; Yanyan Gong; Hao Wang; Xinxin Xia; Xiao Long; et al 出版日期：2026-07-20 |
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