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 Effect of layer structure of AlN interlayer on the strain in GaN layers during metal-organic vapor phase epitaxy on Si substrates Si基片金属-有机物蒸气相生长时AIN中间层结构对Gap层应变的影响
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Momoko Deura; Takuya Nakahara; Wan‐Chi Lee; Takeshi Momose; Yoshiaki Nakano; et al 出版日期：2023-04-24 |
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