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标题
Analysis of the residual stress distribution in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1063/1.4794009
DOI
10.1063/1.4794009 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Sukwon Choi; Eric R. Heller; Donald L. Dorsey; Ramakrishna Vetury; Samuel Graham
出版日期：2013-03-06
求助人
付津顺 在 2025-11-03 00:23:10 发布自湖南，悬赏 10 积分
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