High Breakdown Voltage (<tex>$≫$</tex>1000 V) Semi-Superjunction MOSFETs Using 600-V Class Superjunction MOSFET Process

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标题	High Breakdown Voltage (<tex>$≫$</tex>1000 V) Semi-Superjunction MOSFETs Using 600-V Class Superjunction MOSFET Process
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/16/32353/01510924.pdf?ar...
DOI	10.1109/ted.2005.856804 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：W. Saito; I. Omura; S. Aida; S. Koduki; M. Izumisawa; et al 出版日期：2005-09-21
求助人	ss 在 2026-04-14 15:24:56 发布自湖南，悬赏 10 积分
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