High ION/IOFF Ratio > 105 Ag-Gated E-Mode GaN p-FETs Enabled by p++-GaN Contact and Polarization-Enhanced AlN Layer

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标题	High ION/IOFF Ratio > 105 Ag-Gated E-Mode GaN p-FETs Enabled by p++-GaN Contact and Polarization-Enhanced AlN Layer
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11117210/11117222/111174...
DOI	10.23919/ispsd62843.2025.11117427 doi
其它	期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者：Zhiwei Sun; Hao Tian; Wei-Sheng Wang; Xuan-Ming Zhang; Maoqing Ling; et al 出版日期：2025-06-01
求助人	欲由心生在 2026-09-16 10:42:41 发布自浙江，悬赏 10 积分
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