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Enhanced stability and mobility of solution-processed oxide thin-film transistors with bilayer terbium-incorporated indium oxide channel 具有双层掺铒氧化铟沟道的溶液处理氧化物薄膜晶体管的稳定性和迁移率增强
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
双层
光电子学
氧化物
铟
电子迁移率
晶体管
薄膜
铽
阈值电压
有源矩阵
纳米技术
图层(电子)
电压
化学
膜
电气工程
冶金
发光
工程类
生物化学
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(2025-6-4)