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Modeling of novel RF AlGaN/GaN HEMTs with the structure of n-Si drain extension
具有n-Si漏极延伸结构的新型射频AlGaN/GaN HEMT的建模
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网址
https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207499
DOI
10.1016/j.micrna.2022.207499 doi
其它 期刊：Micro and Nanostructures
作者：Yi‐Zhou Jiang; Weiye Mo; Wei Wang; Hongping Ma; Guodong Yu; et al
出版日期：2022-12-29
求助人
可爱的函函 在 2025-12-04 15:32:27 发布自江西，悬赏 10 积分
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