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标题
Toward Understanding the Positive Shift of Reverse Turn-on Voltage in the Third Quadrant Operation in Planar SiC Power MOSFETs After Avalanche Breakdown
了解平面SiC功率MOSFET雪崩击穿后第三象限工作中反向导通电压的正移
相关领域
雪崩击穿 击穿电压 平面的 材料科学 功率MOSFET 光电子学 电气工程 雪崩二极管 MOSFET 电压 碳化硅 象限（腹部） 转身（生物化学） 物理 工程类 计算机科学 晶体管 核磁共振 医学 冶金 计算机图形学（图像） 病理
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2025.3536447
DOI
10.1109/ted.2025.3536447 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Wei-Cheng Lin; Yu‐Sheng Hsiao; C. L. Sung; Chu Th Bích Ng c; Rustam Kumar; et al
出版日期：2025-02-13
求助人
香蕉觅云 在 2025-12-04 13:43:20 发布自河南，悬赏 10 积分
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