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 Top-gate thin-film transistors with amorphous ZnSnO channel layers prepared by pulsed plasma deposition 脉冲等离子体沉积制备非晶ZnSnO沟道层顶栅薄膜晶体管
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Lan Yue; Fanxin Meng 出版日期：2024-03-28 |
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