A Wide-Range Body Biasing Technique for Analog ICs in 22nm FD-SOI Under Total Ionizing Dose Radiation Harsh Environment

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标题	A Wide-Range Body Biasing Technique for Analog ICs in 22nm FD-SOI Under Total Ionizing Dose Radiation Harsh Environment 全电离剂量辐射恶劣环境下22nm FD-SOI模拟集成电路宽范围体偏压技术
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/11298604
DOI	10.1109/RADECS61970.2024.11298604 doi
求助人	跳跃的访琴在 2025-12-24 21:49:19 发布自江苏，悬赏 10 积分
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