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 Investigations of SiC lateral MOSFET with high-k and equivalent variable lateral doping techniques 采用高k和等效可变横向掺杂技术的SiC横向MOSFET研究
相关领域
MOSFET
材料科学
兴奋剂
光电子学
电气工程
工程类
电压
晶体管
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| 其它 |
期刊：Microelectronics Journal 作者：Moufu Kong; Hongfei Deng; Yingzhi Luo; Jiayan Zhu; Bo Yi; et al 出版日期：2024-05-25 |
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