标题 |
![]() 采用高k和等效可变横向掺杂技术的SiC横向MOSFET研究
相关领域
MOSFET
材料科学
兴奋剂
光电子学
电气工程
工程类
电压
晶体管
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DOI | |
其它 |
期刊:Microelectronics Journal 作者:Moufu Kong; Hongfei Deng; Yingzhi Luo; Jiayan Zhu; Bo Yi; et al 出版日期:2024-05-25 |
求助人 |
liuxch5
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