| 标题 |
 Comparative Study of Gate Work Function Effects in AlGaN/GaN HEMTs with AlGaN and InGaN Back Barriers 相关领域
材料科学
跨导
光电子学
钝化
晶体管
工作职能
金属浇口
击穿电压
电容
基质（水族馆）
高电子迁移率晶体管
电压
氮化镓
工作（物理）
排水诱导屏障降低
图层（电子）
金属
场效应晶体管
栅极电压
功勋
阻挡层
电流（流体）
无线电频率
和大门
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| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductors 作者：P. Eswari; S. Mary Praveena; P. Gowtham 出版日期：2026-08-21 |
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