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  Numerical simulation analysis of carbon defects in the buffer on vertical leakage and breakdown of GaN on silicon epitaxial layers 缓冲器中碳缺陷对硅外延层上GaN垂直泄漏击穿的数值模拟分析
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期刊：Scientific Reports 作者：Weicheng Cao; Chunyan Song; Hui Liao; Ning-Xuan Yang; Rui Wang; et al 出版日期：2023-09-08 |
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