| 标题 |
  Step-flow growth in homoepitaxy of β-Ga2O3 (100)—The influence of the miscut direction and faceting 相关领域
材料科学
外延
刻面
结晶学
单层
表面能
晶体孪晶
堆积
岛屿生长
透射电子显微镜
退火（玻璃）
低能电子衍射
电子衍射
化学物理
凝聚态物理
纳米技术
图层（电子）
化学
光学
微观结构
衍射
有机化学
复合材料
物理
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期刊：APL Materials 作者：Robert Schewski; Konstantin Lion; Andreas Fiedler; Charlotte Wouters; Andreas Popp; et al 出版日期：2018-12-18 |
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