| 标题 |
 Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET 相关领域
材料科学
光电子学
电导率
宽禁带半导体
极化（电化学）
电流密度
图层（电子）
接受者
氮化镓
阈值电压
电阻率和电导率
电离
场效应晶体管
电压
氮化物
载流子密度
电子迁移率
电流（流体）
工作（物理）
电场
逻辑门
砷化镓
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hengyuan Qi; Teng Li; Jingjing Yu; Jialin Duan; Jiawei Cui; et al 出版日期：2025-09-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
馆长
Nole
cdercder
东方元语
张欢馨
Kao
糊涂的灯泡
aajhajkahna
yz
whisper
xing_xing
Criminology34
GingerF
OK
xwyuy
扎心
123
初景
Nexus
学术文献互助
皖公网安备34019202002308
