15.2 A 350mV Single-Rail SRAM Using a Custom-Logic-Bitcell in 2nm-CMOS-Nanosheet Technology for Mobile and Edge-AI Applications

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标题	[高分] 15.2 A 350mV Single-Rail SRAM Using a Custom-Logic-Bitcell in 2nm-CMOS-Nanosheet Technology for Mobile and Edge-AI Applications
网址	https://doi.org/10.1109/ISSCC49663.2026.11409350
DOI	10.1109/ISSCC49663.2026.11409350 doi
其它	期刊：2026 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 作者：Manish Trivedi; Sandipan Sinha; Ramesh Halli; Girishankar Gurumurthy; Jaswinder Singh; et al 出版日期：2026
求助人	Mr_龙在天涯在 2026-03-18 11:09:53 发布自中国，悬赏 100 积分
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