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 Electrical properties of N-polar AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on SiC by metalorganic chemical vapor deposition 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：David F. Brown; Rongming Chu; S. Keller; Steven P. DenBaars; Umesh K. Mishra 出版日期：2009-04-13 |
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