| 标题 |
 Nonmonotonic Instability of VTH and Rds,on in 650 V Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs Under Short-Circuit: The Effect of Electric Field and Thermal Dynamics 相关领域
俘获
材料科学
电场
热的
凝聚态物理
不稳定性
阈值电压
压力（语言学）
负偏压温度不稳定性
电子
降级（电信）
热不稳定性
电子迁移率
光电子学
电压
逻辑门
MOSFET
氮化物
场效应晶体管
漂移速度
宽禁带半导体
氮化硅
晶体管
高电子迁移率晶体管
场依赖性
耗尽区
硅
氮化镓
栅极电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Criminology34
Kao
GingerF
Nole
张欢馨
OK
小小牛马
ming2026
渡人舟
cdercder
loii
yjh123
vampv
东方元语
失眠翠芙
牧青
笑点低的翠
归尘
dynamoo
Colden
皖公网安备34019202002308
