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 Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack 极化库仑场散射对ALD-Al2O3栅介质堆叠常闭凹栅AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管电学性能的影响
相关领域
材料科学
光电子学
电介质
栅极电介质
散射
高电子迁移率晶体管
晶体管
电压
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光学
物理
工程类
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Guangyuan Jiang; Peng Cui; Yang Liu; Guang Yang; Yuanjie Lv; et al 出版日期：2022-12-23 |
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