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标题
Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack
极化库仑场散射对ALD-Al2O3栅介质堆叠常闭凹栅AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管电学性能的影响
相关领域
材料科学 光电子学 电介质 栅极电介质 散射 高电子迁移率晶体管 晶体管 电压 电气工程 光学 物理 工程类
网址
https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108579
DOI
10.1016/j.sse.2022.108579 doi
其它 期刊：Solid-State Electronics
作者：Guangyuan Jiang; Peng Cui; Yang Liu; Guang Yang; Yuanjie Lv; et al
出版日期：2022-12-23
求助人
TianYue778 在 2025-12-03 21:39:37 发布自福建，悬赏 10 积分
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