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 Study on the Mechanism of Chemical Mechanical Polishing for 4H-SiC Based on Photoelectro-Fenton Reaction 基于光电-Fenton反应的4H-SiC化学机械抛光机理研究
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Zifeng Ni; M. Xia; Guomei Chen; Jie Yu; Xinchun Lu; et al 出版日期：2024-12-04 |
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