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标题
Comparison of single Shockley-type stacking fault expansion rates in 4H-SiC under ultraviolet illumination after hydrogen or fluorine ion implantation
氢或氟离子注入后紫外光照射下4H-SiC单肖克利型层错膨胀率的比较
相关领域
氟 紫外线 堆积 材料科学 氢 离子 离子注入 叠加断层 光电子学 复合材料 化学 冶金 位错 有机化学
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad85ee
DOI
10.35848/1347-4065/ad85ee doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Johji Nishio; Chiharu Ota; Ryosuke Iijima
出版日期：2024-10-01
求助人
torjain 在 2025-12-06 15:19:35 发布自湖北，悬赏 10 积分
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