Doping-less MultiGate Inverted-T shape FET device with Schottky source/drain contacts

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标题	Doping-less MultiGate Inverted-T shape FET device with Schottky source/drain contacts 具有肖特基源极/漏极触点的无掺杂多栅极倒T形场效应晶体管器件相关领域材料科学光电子学电介质栅氧化层晶体管兴奋剂肖特基势垒栅极电介质 CMOS芯片场效应晶体管氧化物电气工程绝缘体上的硅泄漏（经济）硅电压二极管工程类经济冶金宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2023.106033
DOI	10.1016/j.mejo.2023.106033 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Sameeksha Munjal; Neelam Rup Prakash; Jasbir Kaur; Komal Sharma 出版日期：2023-11-23
求助人	木木在 2025-06-12 18:38:02 发布自福建，悬赏 10 积分
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