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 RF Performance Analysis of Conventional and Recessed Gate AlGaN/GaN MOSHEMT using β–Ga2O3 as Dielectric Layer |
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期刊：International Conference on Advances in Electronics, Control and Communication Systems (ICAECCS) 作者：Noual Amina; Messai Zitouni; Zine-eddine Touati 出版日期：2023-03-06 |
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