Identification of deep levels in GaN associated with dislocations

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标题	Identification of deep levels in GaN associated with dislocations 相关领域材料科学位错深能级瞬态光谱兴奋剂退火（玻璃）透射电子显微镜化学气相沉积彭宁离子阱光电子学分析化学（期刊）结晶学硅电子纳米技术复合材料化学物理量子力学色谱法
网址	https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/34/027
DOI	10.1088/0953-8984/16/34/027 doi
其它	期刊：Journal of Physics: Condensed Matter 作者：Chew Beng Soh; S. J. Chua; H.F. Lim; D Z; W Liu; et al 出版日期：2004-08-18
求助人	HY 在 2026-06-07 10:31:12 发布自湖北，悬赏 10 积分
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